IR推出工业用认证之MOSFET, 能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本
功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。
新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这个系列的卓越RDS (on) 额定值，可让设计人员避免使用大电流工业应用中，往往因散热需要的大而昂贵的ISOTOP或小型BLOC封装，使系统成本降低50%。”
全新N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压，也符合工业级及MSL1要求。新MOSFET均不含铅并符合电子产品有害物质限制 (RoHS) 指令。
产品基本规格如下：
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元件编号
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沟道型
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Bvdss(V)
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RDS(on)(mΩ)
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Qg(nC)
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25 C下的Id (A)
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封装
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IRFP4004PBF
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N
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40
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1.7
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220
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195*
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TO247
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|
IRFP4368PBF
|
N
|
75
|
1.85
|
380
|
195*
|
TO247
|
|
IRFP4468PBF
|
N
|
100
|
2.6
|
360
|
195*
|
TO247
|
|
IRFP4568PBF
|
N
|
150
|
5.9
|
151
|
171
|
TO247
|
|
IRFP4668PBF
|
N
|
200
|
9.7
|
161
|
130
|
TO247
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*封装限制
各款全新MOSFET已经开始供货。产品详细资料可浏览IR网址：www.irf.com。
