技术/目录资讯SPW35N60CFD
供应商英飞凌科技
分类分立半导体产品
通孔安装类型
场效应管型MOSFET N沟道金属氧化物
漏极至源极电压（Vdss）600V的
电流 -连续漏极（编号）@25 ° C时34.1A
RDS的开（最大值）@标识，VGS的118 mOhm@21.6A，10V的
输入电容（西塞）@@25V的Vds的5060pF
功率- 最大313W
包装管
栅极电荷（Qg）@@10V的VGS电压212nC
封装/外壳的TO -247 -3
场效应管采用标准
无铅状态无铅
RoHS状况符合RoHS
其他名称SPW35N60CFD
SPW35N60CFD
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDINND
SPW35N60CFDIN