ES2491DFN DFNWB1616 霍尔效应开关
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ES2491DFN DFNWB1616 霍尔效应开关

来源:霍芯电子    时间:2021-08-17

ES2491DFN  DFNWB1616  霍尔效应开关

CMOS霍尔集成电路.png

对于TO-92S封装,当垂直于霍尔传感器的S极磁场超过工作点时,ES2491输出晶体管转变为低电平(输出导通),导通后输出电压是VDS。当磁场减弱到低于释放点BRP时,输出晶体管截止(输出高电平)。磁场工作点与释放点之间的差距为器件的磁滞(BHYS)。内置磁滞防止了在转换点附近的输出振荡,而且即使在外部机械振动和电器噪声的情况下也能得到清晰的输出转换。SOT23封装产品感应极性与TO-92S产品相反。


 
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