场效应管 MOSFET N TO-220
 晶体管极性: N沟道
 电流, Id 连续: 50A
 漏源电压, Vds: 60V
 在电阻RDS（上）: 22mohm
 电压 @ Rds测量: 10V
 阈值电压 Vgs: 4V
 功耗 Pd: 120W
 Transistor Case Style: TO-220
 针脚数: 3
 工作温度最高值: 175°C
 MSL: -
 SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Dec-2013)
 器件标记: FQP50N06
 封装类型, 其它: SOT-78B
 工作温度最小值: -55°C
 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
 漏极电流, Id 最大值: 50A
 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
 电压, Vds 典型值: 60V
 电压, Vgs 最高: 4V
 电流, Idm 脉冲: 200A
 通态电阻最大值: 22mohm
 阈值电压, Vgs th 最高: 4V