代号 型号 材料与 极性 主要参数 用途 封装 备注 l (电阻单位：Q) I 功率(W) 耐压(V) 电流(A) 频率(Mltz) 02 DTCll4T Si—N+R O．4 50 0.1 S H一15 R山=10k 03 DTCl 43TE Si—N+R O．4 50 0.1 S H一15 Rb=4.7k 04 MRF521 1L Si—P ， O．25 50 0.05 500 HF H一15 05 DTCl24TE Si—N+R O．4 50 0.1 S H一15 R七=22k 06 DTCl 44TUA Si—N+R O．4 50 0.1 S H一15 Rb=47k 081 2N2369A Si—N O．36 50 0.2 >50 SS H-21 - 09 DTCl 15TUA Si—N+R 0.4 50 0.1 S H一15 Rbe=100k 0B MUN5112 Si—P+R O．4 50 0.1 S H-23 Rb=R-be=22k 0C MUN5113 Si—P+R O．4 50 0.1 S H-21 Rb=Rbe=47k 0D MUN5114 Si—P+R O．4 50 0.1 S H-21 Rb=10k、R6e=47k 0E MUN5115 Si—P+R O．4 ● 50 0.1 S H一21 Rb=10k OF MUN5116 Si—P+R 0.4 50 0.1 S H-21 Rb=4.7k 0G MUN5130 Si—P+R O．4 50 0.1 S H一21 Rb=Rbe=1k 0H MUN5131 Si—P+R 0.4 ． 50 0.1 S H-21 Rb．---Rbe=2.2k 0J MUN5132 Si—P+R O．4 50 0.1 S H-21 Rb=Rbe=4.7k 0K MUN5133 Si—P+R O．4 50 0.1 S H-21 Rb=Rbe=47k 0L MUN5134 Si—P+R 0.4 50 0.1 S H-21 Rb=22k、Rbe=4.7k 0M MUN5135 Si—P+R 0.4 50 0.1 S H-21 Rb=2.2、Rbe=4.7k 1 2SC3587 Si—N O．25 30 0.05 10GHz UF H一15 1 1 MUN5311 Si—N／P+R O．4 50 0.1 Um H-23 R-b=10k 1 1 1 DTAll3Z Si—P+R O．4 50 O．1 U11i H一15 Rb=lk、Rbe=10k 1 13 DTAl43Z Si—P+R 0.4 50 0.1 Um H一15 Rb=4.7k、Rbe=47k 12 DTAl 23EUA Si—P+R 0.4 50 0.1 U11i H一15 Rb=Rbe=2.2k 121 DTCll3ZUA Si—N+R O．4 50 0.1 Uni H一15 Rb=1k、Rbe=10k 123 DTCl43ZUA Si—N+R 0.4 50 0.1 Um H一15 Rb=4.7k、Rbe247k 13 MUN5313DW Si—N／P+R 0.4 50 0.1 Um H-23 Rb=Rbe=47k 132 DTAl 23JUA Si—P+R O．4 50 0.1 Uni H一15 Rb-=2.2k、Rbe=47k 14 DTAl 14EUA Si—P+R 0.4 50 0.1 Um H一15 Rb=Rbe=10k 14 MUN5314DW Si—N／P+R O．4 50 ● O．1 Um H-23 R七=10k 15 MUN5315DW Si—N／P+R O．4 50 0.1 Uni H-23 Rb=Rbe-=1 Ok 15 DTAl 24EUA Si—P+R 0.25 30 0.05 S H一15 R七=Rbe=22k 156 DTAl 44VUA Si—P+R 0.4 50 0.1 Uni H一15 Rb=47k、Rbe=10k 16 DTAl 44EUA Si—P+R 0.25 30 0.05 S H一15 Rb=Rbe=47k 18 BFPl81T Si—N 0.15 10 0.02 >7.8GHz UF G一7 1A 2N3904 Si—N 0.625 60 0.2 >250 Um H一17 1B 2N2222 Si—N O．5 60 0.8 100 Uni H一17 1C MPSA20 Si—N 0.35 40 0.1 100 U11i H一17 1D MPSA42 Si—N 0.625 300 O．5 100 Tr H一100 1E MPSA43 Si—N 0.625 200 0.5 100 Tr H一100 1EN 2SC4084 Si-N 0.15 30 0.05 2.0GHz HF H一15 1EP BC547A Si—N 0.5 50 O．2 300 Uni H一17 代号 型号 材料与 极性 主要参数 用途 封装 备注 (电阻单位：Q) 功率(W) 耐压(V) 电流(A) 频率(MHz) 1ES BC847AW Si—N O．2 50 0.1 100 Uni H一15 1F MMST5550 Si—N 0.625 160 0.6 >100 Tr H一100 1G MMBTA06 Si—N 0.625 80 O．5 NF H一100 1H M～IBTA05 Si—N 0.625 60 0.5 NF H一100 1J BC848A Si—N 0.2 30 0.1 ， 100 Uni H一17 1JA MMBT2369A Si—N 0.625 40 0.5 Uni H一100 1K MPSAl8 Si—N 0.35 45 0.2 NF H一9 1KZ FMMT4400 Si—N 0.625 60 0.6 10 Uni H一100 1L FMMT440 1 Si—N 0.625 60 0.6 10 Uni H一100 1M M～mTAl3 Si—N+D 0.625 30 0.5 >125 V H一100 1N MMBTAl4 Si—N+D 0.625 30 0.5 >125 V H一100 1P BC847PN Si—N／P 0.2 50 0.1 30 V H-23 1S MMBT2369A Si—N 0.36 40 0.2 500 SS H一15 1T MMBT3960A Si—N 0.4 20 0.03 500 SS H一1 5 1U MMBT2484 Si—N 0.36 60 0.05． >100 NF／ra H一15 1V MMBT6427 Si—N+D 0.625 40 0.5 >10 Uni H一100 1VP BF820 Si—N 0.5 300 O．05 Tr H一100 1W BF822W Si—P 0.625 300 O．05 >60 Tr H一100 1X MP$3904 Si—N 0.625 45 0.03 >30 Uni／ra H一9 1Z MMBT65 17 Si—N 0.625 350 0.5 >40 NF／V H一100 2 2SC3604 Si—N 0.58 20 0.065 8GHz UF G一129 22 M～IBT4209 Si—P 0.35 15 O．05 850 S H一9 23 MMBT3646 Si—N 0.2 40 0.2 350 S H一9 24 2SC5006 Si—N 20 0.1 3GHz UF H一15 25 DTCl24EUA Si—N+R 0.4 ’ 50 O．1 S／Uni H一15 Rb=Rbe=22k 26 DTCl44EKA Si—N+R 0.3 50 0.03 S／Um H一15 Rb=1Kbe=47k 28 BFP280T Si—N 0.25 8 O．01 7GHz UF H一9 29 DTCl 15EE Si—N+R 0.4 50 0.02 S／Uni H一15 Rb=Rbe=1 00k 2A 2N3906 Si—P 0.625 40 0.2 >200 Uni H一15 2B 2N2907 Si—P 0.4 60 0.6 ● >10 Uni H一15 2C BC549B Si—N O．5 30 0.2 300 Uni H一15 2D MPSA92 Si—P 0.625 300 O．5 >100 Uni H一100 2E MPSA93 Si—P 0.625 200 0.5 >100 Uni H一100 2F BC850B Si—N 0.2 50 0.1 1 00 Uni H一15 2G MPSA56 Si—P 0.625 80 O．5 NF／Tr H一15 2H MPSA55 Si—P 0.625 60 0.5 NF／Tr H一15 2I 2SD2474 Si—N 10 2 1 80 L H一100 2J MPS3640 Si—P 0.2 12 0.08 S H一15 2K 2N4402 Si—P 0.625 40 0.6 250 Uni H一100 2L MMBT540 1 Si—P 0.625 150 0.6 >100 Uni H一15 2M 2N5087 Si—P 0.625 50 O．05 NF／ra H一15 2N M～m5404A Ge—P 0.15 35 0.15 斩波 H一9 2P MMBT5086 Si—P 0.625 50 O．05 NF／ra H一15 2Q MMB5087 Si—P 0.625 50 0.05 NF／ra H一17 2T 2N4403 Si—P 0.625 40 0.6 250 Uni H一17 2U MMBTA63 Si—P+D 0.625 30 O．5 Uni H一100(fj=5000)
